ROHM выпускает модель L3 для модернизации проектирования силовых полупроводников

Шанхай, 10 июня 2025 года - Компания ROHM официально представила SPICE-модель 'ROHM Level 3 (L3)', предлагающую революционные улучшения для проектирования силовых полупроводников. Благодаря оптимизации алгоритмов новая модель сокращает время моделирования на 50% при сохранении точности модели L1, значительно повышая эффективность верификации проектов.

Выпущенная модель L3 поддерживает линейку продуктов SiC MOSFET четвёртого поколения (всего 37 моделей), доступных на официальном сайте. ROHM особо подчёркивает, что, несмотря на выпуск новой модели, версия L1 продолжит поддерживаться. Для помощи инженерам в быстром освоении компания одновременно опубликовала подробное техническое руководство, облегчающее плавный переход на новую модель.